词汇: photoresist

词性: 名词

释义:
Photoresist（光刻胶）是一种在半导体制造过程中使用的化学材料，它对光敏感。通过光照射，photoresist会发生化学变化，从而决定哪些区域能被后续的化学处理去除或保留下来。它主要用于微电子和纳米技术中的图案转移。

用法:

在微电子学中，photoresist通常应用于光刻工艺，帮助精确地复制电路图案。

它能有效保护基材表面不被腐蚀或污染，直到图案完成后，photoresist的多余部分被去除。

翻译:

中文: 光刻胶

日文: フォトレジスト (foto rejisuto)

德文: Fotolack

读音:
/ˈfəʊtəʊrɪzɪst/

例句:

The semiconductor manufacturer uses photoresist to create precise patterns on silicon wafers.
（半导体制造商使用光刻胶在硅片上创建精确的图案。）

After exposure to ultraviolet light, the photoresist undergoes a chemical change that allows the pattern to be etched onto the surface.
（在紫外线照射后，光刻胶会发生化学变化，从而使图案能够蚀刻到表面。）

Photoresist is crucial in the production of integrated circuits and microchips.
（光刻胶在集成电路和微芯片的生产中至关重要。）

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