Photoresist（光刻胶）是一种用于光刻工艺中的材料，常用于半导体制造和微电子加工过程中。在光刻工艺中，光刻胶涂覆在基板表面，随后通过紫外光或激光照射，使光刻胶在照射部分发生化学变化。这种变化可以使得光刻胶在后续的显影过程中发生溶解或保持不变，形成所需的微小图案，作为后续制造步骤的模板。

音标

Photoresist 的音标为 [ˈfəʊtəʊrɪzɪst]。

翻译

Photoresist：光刻胶

读音

photo：/ˈfəʊtəʊ/（类似“佛托”）

resist：/rɪˈzɪst/（类似“瑞兹斯特”）

用法

Photoresist is crucial in the process of photolithography in semiconductor manufacturing.

光刻胶在半导体制造中的光刻工艺中至关重要。

 

After applying the photoresist, it is exposed to ultraviolet light to create a pattern.

在涂覆光刻胶后，将其暴露于紫外线下以创建图案。

 

The photoresist layer protects the underlying material during etching.

光刻胶层在蚀刻过程中保护底层材料。

 

The quality of the photoresist directly affects the precision of the microfabrication process.

光刻胶的质量直接影响微加工过程的精度。

 

Photoresist is sensitive to light, which is why it is stored in dark conditions.

光刻胶对光敏感，因此它必须在黑暗环境中存储。

 

Different types of photoresists are used for positive and negative photolithography.

不同类型的光刻胶用于正向和负向光刻工艺。

 

Photoresist undergoes a chemical change when exposed to light, which alters its solubility.

光刻胶在暴露于光线时会发生化学变化，改变其溶解性。

 

After exposure to light, the photoresist is developed to reveal the pattern.

暴露于光线后，光刻胶经过显影处理以揭示图案。

 

Photoresist is an essential material in the production of integrated circuits.

光刻胶是集成电路生产中必不可少的材料。

 

The thickness and uniformity of the photoresist layer are critical for the resolution of the photolithographic process.

光刻胶层的厚度和均匀性对光刻工艺的分辨率至关重要。

 

短语搭配

positive photoresist：正性光刻胶

negative photoresist：负性光刻胶

photoresist coating：光刻胶涂层

photoresist pattern：光刻胶图案

photoresist development：光刻胶显影

photoresist layer：光刻胶层

光刻胶的选择与应用对微电子技术的制造精度有着深远的影响，尤其是在集成电路、太阳能电池以及微机电系统（MEMS）等领域。