Photoresist

音标：/ˈfoʊtəʊrɪzɪst/ 或 /ˈfəʊtəʊrɪzɪst/

词义：
Photoresist 是一种感光材料，通常用于半导体制造、微电子学和光刻工艺中。它对光的敏感度较高，能够在受到紫外光或激光照射后发生化学变化。这种变化使得某些区域变得易于去除或无法去除，从而形成图案或结构。光刻工艺广泛应用于印刷电路板、集成电路的生产。

翻译：
光刻胶，光敏胶

读音：

美式：[foh-toh-ree-zist]

英式：[foh-tow-ree-zist]

用法：

工业制造：光刻胶在半导体工艺中用于刻蚀芯片电路。

光刻过程：通过对光刻胶施加紫外光，形成特定的图案。

微电子学：在制造微型电子设备时，光刻胶用于电路的图案化。

例句：

The photoresist layer was exposed to ultraviolet light to create a pattern on the semiconductor.
（光刻胶层暴露在紫外光下，以在半导体上创建图案。）

After developing the photoresist, the pattern is transferred onto the substrate.
（显影后，光刻胶上的图案被转移到基片上。）

Photoresists are crucial in the production of integrated circuits.
（光刻胶在集成电路的生产中至关重要。）

A thin layer of photoresist is applied to the wafer before the exposure process.
（在曝光过程之前，会在晶圆上涂上一层薄光刻胶。）

The photoresist material must be carefully selected to achieve high resolution in the etching process.
（必须仔细选择光刻胶材料，以在刻蚀过程中达到高分辨率。）

The photoresist is exposed to light through a mask to define the pattern on the chip.
（通过掩模将光刻胶暴露于光照下，从而定义芯片上的图案。）

Once the photoresist is exposed and developed, the unwanted areas are etched away.
（一旦光刻胶被曝光并显影，未需要的部分会被刻蚀去除。）

The performance of the photoresist determines the accuracy of the lithography process.
（光刻胶的性能决定了光刻工艺的准确性。）

The photoresist material is hardened after exposure to create a durable layer.
（光刻胶材料在曝光后会硬化，形成耐用层。）

Photoresist thickness and sensitivity are key factors in achieving fine-line patterns.
（光刻胶的厚度和灵敏度是实现细线图案的关键因素。）

短语搭配：

Photoresist coating — 光刻胶涂层

Photoresist development — 光刻胶显影

Positive photoresist — 正性光刻胶

Negative photoresist — 负性光刻胶

Photoresist exposure — 光刻胶曝光

Photoresist material — 光刻胶材料

Photoresist patterning — 光刻胶图案化

Photoresist etching — 光刻胶刻蚀

Photoresist removal — 光刻胶去除

Photoresist sensitivity — 光刻胶灵敏度